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坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法获国家发明专利优秀奖 |
行业资讯 加入时间：2008/9/19 14:26:06 来源： 访问量：1031 |
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经中国专利奖评审委员会评审，上海硅酸盐所廖晶莹等同志发明的“坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法”专利(专利号：ZL94114075.X)被评为第十届中国专利奖优秀奖。
上世纪九十年代初，欧洲核子研究中心邀请上海硅酸盐所参与其大型强子对撞机国际合作，研发所需的钨酸铅(PWO)闪烁晶体。
针对欧洲核子研究中心的高要求，发明人从原料合成，生长设备的设计和建造，晶体生长工艺的优化和晶体后处理工艺着手，依据PWO晶体的特性自行设计和建造能满足大批量PWO晶体生长要求的改进型多坩埚下降炉，建立了优质大尺寸PWO晶体的理想生长工艺参数，使批量生产的PWO晶体性能具有一致性、均匀性和稳定性，大批量地提供给欧、美、日等多个高能物理项目或国际知名科研机构，获得国际高能物理界的广泛好评。
此次荣获中国专利奖的项目，是由国务院有关部委、直属机构以及各地方知识产权局、各中央企业和中国科学院、中国工程院院士推荐，并经过国家知识产权局初审、评审选出的。这些获奖项目，技术方案构思巧妙、新颖，原创性强，技术水平高，对促进相应领域的技术进步与创新有突出的贡献，并取得了较大的经济效益或社会效益。
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